一，概述：

由于LED燈負(fù)載使用日益廣泛，對(duì)開關(guān)抗沖擊要求越來越高。目前普遍使用自鎮(zhèn)流燈負(fù)載來測(cè)試開關(guān)的抗沖擊特性。由于自鎮(zhèn)流燈負(fù)載柜測(cè)試周期較長(zhǎng)（2萬循環(huán)次數(shù)），測(cè)試結(jié)果等待時(shí)間較長(zhǎng)；另外采用交流源測(cè)試開關(guān)導(dǎo)通角比較隨機(jī)，導(dǎo)致每個(gè)被測(cè)開關(guān)實(shí)際承受的沖擊結(jié)果有一定差異（當(dāng)然從概率論角度講應(yīng)該基本一致）。

為了解決導(dǎo)通角差異問題我們采用直流電源來測(cè)試，同時(shí)確保每次測(cè)試的 Ipeak ，I2t和沖擊波形三個(gè)要素的一致性，我們開發(fā)出這臺(tái)設(shè)備輔助測(cè)試。

下表為標(biāo)準(zhǔn)要求的Ipeak 和 I2t參數(shù)：

（表格可左右滑動(dòng)查看）

由此可見標(biāo)準(zhǔn)要求的沖擊參數(shù)最 大值為：Ipeak = 192A;  I2t = 13。沖擊波形為：

我們?cè)O(shè)備目前可以提供的最 大沖擊參數(shù)為：Ipeak >600A;  I2t >70（可以定制更高沖擊參數(shù)）。沖擊波形為：

利用這種沖擊一致性的設(shè)備可以對(duì)開關(guān)進(jìn)行快速比對(duì)測(cè)試，設(shè)定一個(gè)合格門檻。同時(shí)也可以快速發(fā)現(xiàn)開關(guān)中存在的結(jié)構(gòu)問題（比如支撐片傾斜，觸點(diǎn)不對(duì)中等）。

   觸點(diǎn)偏位

二，操作方法

1，按照下圖所示接好測(cè)試開關(guān)，連接好采樣示波器，測(cè)試電源的接線端子無需接線。

2，打開主機(jī)電源，啟動(dòng)測(cè)試電源，調(diào)節(jié)測(cè)試所需電壓（一般調(diào)到250VDC），按測(cè)試需求選擇I2t電容（每檔電容并聯(lián)）和Ipeak，按下啟/停按鈕，對(duì)電容進(jìn)行充電，等待測(cè)試電壓表達(dá)到測(cè)試電源設(shè)置的電壓時(shí)表示電容充滿電。然后閉合被測(cè)開關(guān)進(jìn)行沖擊測(cè)試，直到測(cè)試電壓顯示為零則完成一次測(cè)試。然后斷開被測(cè)試開關(guān)，電容再次進(jìn)行充電，閉合測(cè)試開關(guān)進(jìn)行沖擊測(cè)試，如此往復(fù)。

注：  1）更換被測(cè)開關(guān)之前，請(qǐng)先按下啟/停按鈕，確認(rèn)測(cè)試電壓表顯示為零時(shí)再進(jìn)行被測(cè)開關(guān)更換，以防高壓電擊。2）請(qǐng)?jiān)跍y(cè)試電壓表顯示為零時(shí)再進(jìn)行I2t檔位選擇操作3

3，示波器是用來測(cè)量開關(guān)接通瞬間的沖擊電流波形（由此可以測(cè)得I2t和Ipeak）。內(nèi)置采樣電阻比值為100A/1V。下圖為用示波器采樣的一個(gè)沖擊電流波形圖供參考。